产品概述
GloryEX3D 是基于随机漫步法（Random Walk），求得 Maxwell 偏微分方程的近似解。该求解器易于计算复杂结构，且适合发展并行计算，可用于标准单元和 IP 的寄生电容电阻求解，计算芯片中关键路径的寄生效应。
GloryEX3D 可保证各关键节点和各关键参数的精确度要求，支持先进工艺和成熟（Plannar MOS）工艺。GloryEX3D 可快速处理计算，拥有行业领先的求解效率和并行计算容量，其计算精度满足晶圆厂寄生参数模型建立需求，通过对器件层面（Fin数量、M0（本地互联））等建模，表征 P-cells 和 Template Cells 的 M1、V0 特性。可应用于中小尺寸版图的高精度提取，或是芯片中关键路径的高精度求解，并达到签核精度要求。
产品亮点
支持标准单元格（Standard Cell）SRAM 表征
关键路径的电容求解
精确提取自耦电容（Self-coupling）和分布电容（Distributed）
强大的并行和分层计算潜力，可并行数千 CPU
输出降阶后的最小网表以供设计者参考
低内存消耗
支持对复杂几何图形和复杂工艺效应的工艺建模
支持先进工艺和成熟工艺下 BEOL、MEOL 和 FEOL 的高精度建模和寄生参数提取
与晶圆厂 Golden 数据拟合的精确度
多家晶圆厂精度认证
与主流后端工具无损融合
易用的三维 GUI-GxViewer 来查看工艺制成细节
三维立体器件结构显示界面，供开发人员查看建模的精确工艺数据以及立体结构，精确表征导体和电介质（Dielectric）参数
支持 Tech File 加密，确保代工厂的工艺信息安全
图示
浙公网安备 33010802011331号