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GloryEX®
芯片级RC寄生参数提取工具

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GloryEX®

GloryEX是一款芯片级RC寄生参数提取工具,是τ-Aware工具框架中的τ精度基座。面向超大规模数字芯片、模拟芯片、SoC及3DIC异构集成设计,提供具备Signoff级精度的高性能全芯片RC寄生参数提取解决方案。支持数十亿门级集成电路寄生网表提取,首次实现二维与三维结构的高精度统一建模。

主要功能

65nm至10nm以下工艺节点(含FinFET)复杂几何图形和工艺效应建模:覆盖OPC、CMP、Low-k Damage、双重/多重曝光效应,精度经国内外头部晶圆厂认证并通过流片验证
器件级精度闭环:与GloryEX3D协作对FinFET器件寄生参数建模生成CAPTAB,实现14nm以下先进工艺的高效高精度寄生提取;支持LEF、DEF、CCI等主流数据格式
3DIC异构集成全栈寄生建模:支持任意堆叠形式的VIX耦合电容提取与多Die网表合并;支持TSV的RC/RCL子电路建模及TSV间衬底RSUB/CSUB/CEFF等效建模,内置场求解器精确计算TSV-衬底寄生电容
主流设计平台Extracted View功能:实现寄生参数反标到图形化设计界面,方便用户分析并进一步优化设计
图形化Debugger界面:提供LVS Layer信息与寄生电容、电阻信息,便于输入数据与提取结果的分析

产品亮点

01

超大规模并行提取计算
支持自适应区域切分并行架构,支持数十亿门级芯片寄生提取,首次实现二维与三维结构的高精度统一建模

02

多工艺角并行极速提取(MCPE)
全芯片级寄生参数提取效率提升35%以上

03

虚拟金属冗余评估优化(VMF)
无需额外执行填补操作,精准量化金属冗余填补对寄生电容的影响,大幅缩短迭代优化时间

04

3DIC跨厂数据融合突破
兼容主流晶圆厂3DIC Bonding GTF格式,实现多厂CAPTAB数据库无缝融合,打破跨晶圆厂协作数据统一难题

05

τ-Aware精度基座
与GloryPolaris、GloryEX3D场求解器深度融合,实现从硅数据参数到器件级寄生参数建模、金属互联建模到全芯片提取的精度闭环

应用场景

应用场景

SoC、ASIC、Memory、Custom、AMS及3DIC异构封装等多设计场景。支持65nm到10nm以下工艺节点(包括FinFET),精度经国内外头部晶圆厂认证。

立足先进工艺Signoff
打造τ-Aware工具框架

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