Choose language
返回

Advanced-Node Full-Chip Electrical Signoff

高端芯片电签核

资料下载

先进节点全芯片电签核解决方案

当芯片工艺迈入5nm、3nm乃至GAA全环绕栅极时代,POCV/AOCV变异建模复杂度剧增,多Corner多Scenario组合爆炸,时序裕量被压缩至皮秒级。RC提取、时序分析、功耗分析、电源完整性各环节需要手动脚本转换,迭代成本高。行芯科技以RC寄生参数提取为底座,覆盖时序、功耗、电源完整性、电热耦合全流程,提供从寄生参数提取到ECO收敛的全芯片电签核解决方案。

核心亮点

  • 高精度统一建模

    业内首创将二维与三维结构进行高精度统一建模,先后完成3D验证、晶体管级验证和门级验证
  • 超大容量支撑

    弹性计算架构支撑数亿晶体管、数十亿门电路的超大容量设计,满足当下高端数字逻辑芯片需求
  • 高性能架构

    EMIR分析采用分布式处理方案使性能随计算资源增加线性提升,Physical Partition方式保障矩阵求解时边界条件正确性,在保障精度的情况下实现性能提升
  • ECO灵活收敛

    搭载Logic Only、Total RC、SPEF三层递进精度模型,助力用户灵活权衡验证效率与结果精度
  • 共享签核过程数据

    RC提取、时序、功耗、电源完整性、电热耦合、ECO收敛全流程数据原生贯通,消除跨工具格式转换损耗,迭代效率倍增

主要功能

01

全芯片RC寄生参数提取
原生适配FinFET、GAA器件精确建模、多层金属复杂绕线场景,MCPE多工艺角并行提取效率可提升35%以上。内置虚拟金属冗余填补(VMF),可提前精准量化金属冗余对寄生电容的影响。

02

电源完整性与电迁移签核
支持Static/Dynamic IR Drop与PG/Signal EM全模式校验,基于GPL提供更精确的Cell Current Waveform提升Dynamic IR分析精度。电源网格最短路径电阻分析速度可达传统算法的 30 倍。

03

静态时序分析签核
支持POCV、AOCV、LVF变异感知建模,内置GBA/PBA双分析模式,支持层次化HyperScale分析流程。支持IR压降与温度场反向修正单元与互连线延时,真实还原先进工艺下的多物理耦合时序特性。

04

功耗签核
精确计算动态/静态功耗,支持多电压域、多时钟域功耗建模。内置翻转概率传播算法可直接基于RTL波形进行功耗估算,误差在3%以内。

05

功耗-热耦合分析
稳态/瞬态热仿真与功耗双向迭代,使用模型降阶技术下瞬态温度预测误差<1℃。联合实现Thermal-Aware电迁移分析,为EM签核提供精确温度分布。

06

签核收敛与物理ECO
搭载Logic Only、Total RC、SPEF三层递进精度模型,支持MMMC多场景并行修复及Metal、Clock、IR ECO多类型。深度融合物理布局信息,实现全链路物理级增量式ECO修复。

应用场景

AI训练/推理芯片
亿级晶体管、数十亿门电路等超高密度下的全芯片签核。
高性能CPU/GPU芯片
多核多电压域复杂场景,POCV、AOCV变异感知时序收敛与ECO优化。
5nm/3nm/GAA等先进节点芯片设计
工艺波动敏感性分析、FinFET/GAA器件精确建模、签核级精度验证。
AI训练/推理芯片
亿级晶体管、数十亿门电路等超高密度下的全芯片签核。
高性能CPU/GPU芯片
多核多电压域复杂场景,POCV、AOCV变异感知时序收敛与ECO优化。
5nm/3nm/GAA等先进节点芯片设计
工艺波动敏感性分析、FinFET/GAA器件精确建模、签核级精度验证。

立足先进工艺Signoff
打造τ-Aware工具框架

敬请提供联系方式

您提供信息即表示您同意我们处理您的个人数据,以
便开展活动并进行相关沟通,详情请参阅隐私政策。

提交